-
在CMOS中,阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷,如需高温工艺(超越1 050℃)及长扩散时间(超越8h)来到达所需2μm~31'm的深度,在这个工艺中,外表的掺杂浓度是最高的,掺杂浓度随着深度递加,为了...
www.kiaic.com/article/detail/297.html 2018-03-28
-
功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置,它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口,是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响,其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...
www.kiaic.com/article/detail/298.html 2018-03-28
-
MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向.在集成电路中,较小的器件尺寸可到达较高的器件密度,此外,较短的沟道长度町改善驱动电流(ID~1/L)以及工作时的特性,但是,由于器件尺寸的缩减,沟道边缘(如源极、漏极及绝缘区边缘)的扰动将变...
www.kiaic.com/article/detail/300.html 2018-03-28
-
mos在控制器电路中的工作状态:开经过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开经过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流惹起的,这个忽略不计),还有雪崩能...
www.kiaic.com/article/detail/301.html 2018-03-28
-
(1)MOS管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的状况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用三极管。(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件,双极器件是指靠两种...
www.kiaic.com/article/detail/304.html 2018-03-28
-
316 次查看
场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件。它与晶体管相比,具有输入阻高、噪声低、热稳定性好等优点,因此得到了疾速开展与应用。场效应管与晶体管同为放器件,但工作原理不同:晶体管是电流控制器件,在一定条件下,其集电极电流受基极电控制...
www.kiaic.com/article/detail/305.html 2018-03-28
-
704 次查看
绝缘栅双极型晶体管的原理,分类,优势与缺点
www.kiaic.com/article/detail/306.html 2018-03-28
-
双极型晶体管(Bipolar Transistor)是一种电流控制器什,电子和空穴同时参与导电。与场效应晶体管相比,双极型品体管的开艾速度快,但其输入阻抗小,功耗大。双极型品体管具有体积小、质量轻、耗电少、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于开关电源、广播、电视、...
www.kiaic.com/article/detail/308.html 2018-03-28
-
MOS集成门电路是一种由单极型晶体管(MOS场效应管)组成的集成电路。它具有抗干扰性能强、功耗低、制造容易、易于大范围集成等优点-
www.kiaic.com/article/detail/309.html 2018-03-28
-
假如CMOS电路的负载(执行元件)是继电器,则电路必需具有较大的带负载才能。图7-6所示为非门驱动一个分立元件的开关放大器件的接口电路。中三极管的集电极负载为继电器KA线圈。其工作电流为lOOmA。若晶体管的β=25,则需求4mA的基极电流。这对与非门来说是个拉...
www.kiaic.com/article/detail/311.html 2018-03-28
-
场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件,外形如图4-21所示。和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性,得到了越来越普遍的应用。
www.kiaic.com/article/detail/312.html 2018-03-28
-
场效应管的特点足由栅极电压U(;控制其漏极电流ID和普通双极型晶体管相比较,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。场效应管的基本工作原理如图4-24所示(以结型N沟道管为例)。由于栅极G接有负偏压(-UG),在G附近形成耗尽层...
www.kiaic.com/article/detail/313.html 2018-03-28
-
场效应管可分为两类:一类足结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料,又分为N沟道和P沟道两种;绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格外,还有加强型与耗尽型之分。
www.kiaic.com/article/detail/316.html 2018-03-28
-
Power MOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符号及根本接法如图3-25所示。PowerMOSFET有三个极,即源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。控制信号“GS加于栅极和源极之间,改动UGS的大小,便可改动漏极电流ID的大小。由于栅—源极之间的阻抗十分大,...
www.kiaic.com/article/detail/317.html 2018-03-28